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IGBT8

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IGBT�？榈乃鸷奶匦�

IGBT元件的损耗总和分为：通态损耗与开关损耗�？厮鸷姆直鹞ㄋ鸷�(EON)和关断损耗(EOFF)之和。另外，内置续流二极管的损耗为导通损耗与关断（反向恢复）损耗(ERR)之和。 EON、EOFF、ERR与开关频率的乘积为平均损耗。
IGBT的损耗：

IGBT的损耗

续流二极管的反向恢复损耗：

续流二极管的反向恢复损耗

反向恢复损耗 ERR
开关特性的测试：

开关特性的测试

PDMB100B12开通损耗EON测量范例：

PDMB100B12开通损耗EON测量范例

PDMB100B12关断损耗EOFF测量范例：

PDMB100B12关断损耗EOFF测量范例

1200V B系列开通损耗 EON （Tj= 125℃），有关门极系列阻抗RG请参阅技术规格。

1200V B系列开通损耗 EON （Tj= 125℃）

1200V B系列关断损耗 Eoff (Tj=125C)，有关门极系列阻抗RG请参阅技术规格。

1200V B系列关断损耗 Eoff (Tj=125C)

1200V B系列续流二极管反向恢复损耗 ERR（Tj= 125℃），有关门极系列阻抗RG请参阅技术规格。

1200V B系列续流二极管反向恢复损耗 ERR

1200V B系列ERR对门极串联电阻RG依存性（Tj= 125℃）

1200V B系列ERR对门极串联电阻RG依存性

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